安徽建设银行官方网站,重庆网搜科技有限公司,建设网站需要,用git 做网站以前有写过一篇文章“晶振”简单介绍了晶振的一些简单参数#xff0c;今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法#xff1a; 如上图#xff0c;是常见的的无源晶振常见接法#xff0c;而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法#xff0c;有两种#xff1a;
A#…以前有写过一篇文章“晶振”简单介绍了晶振的一些简单参数今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法 如上图是常见的的无源晶振常见接法而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法有两种
A知道晶振的负载电容Cload需要计算Ce1与Ce2
B某些IC有推荐Ce1与Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。
方法A 如上图Ce1Ce22*[Cl-(CsCi)]
其中Ce1,Ce2为晶振外部的负载电容也即是匹配电容
Cl为晶振规格书的负载电容
Cs为PCB板的走线、IC PAD的寄生电容的和
Ci为IC的PIN寄生电容。
计算开始
Cl通过规格书获取一般为20pF。
Cs与Ci采用估算值CstrayCsCi。一直范围为3pF~7pF。
那么Ce1(min)Ce2(min)2*[20-7]26pF
Ce1(max)Ce2(max)2*[20-3]34pF
则这时候在这个区间选一个容值即可基本没多大问题。
方法B C1,C2为晶振的外部匹配电容
Cstray为trace,pad and chip的寄生电容
Cl则为我们需要的晶振参数。
计算开始
如果chip有要求C1C222pF,而Cstray范围为3pF~7pF
那么CL113~7pF
CLmin14pFCLmax18pF。
则可以拿着参数去找对应的晶振型号。
总结上面两种方法一种是先确定了晶振的参数然后对应去算匹配电容范围简单方便。另外一种是根据平台推荐的匹配电容去算晶振的参数然后去选择对应的型号。仔细看看这两种方法其实是一样的。
