网站横幅怎做,深圳网站建设制作企业,连云港城乡建设局网站,龙岩网站建设龙岩网站制作1.为了避免 50Hz 的电⽹电压⼲扰放⼤器#xff0c;应该⽤那种滤波器#xff1a; A.带阻滤波器 B.带通滤波器 C.低通滤波器 D.⾼通滤波器 2.PID 中的 I 和 D 的作⽤分别是#xff1f; A、消除静态误差和提⾼动态性能 B、消除静态误差和减⼩调节时间 C、提⾼动态性能和减⼩超调… 1.为了避免 50Hz 的电⽹电压⼲扰放⼤器应该⽤那种滤波器 A.带阻滤波器 B.带通滤波器 C.低通滤波器 D.⾼通滤波器 2.PID 中的 I 和 D 的作⽤分别是 A、消除静态误差和提⾼动态性能 B、消除静态误差和减⼩调节时间 C、提⾼动态性能和减⼩超调量 D、减⼩调节时间和减⼩超调量 关于信号采样正确的是 A、采样频率只要⼤于被测频率即可 B、采样频率过低会发⽣混叠现象 C、采样频率越⾼越好 D、采样频率要设为被测信号频率的整数倍 在⾼频开关变换器中半导体开关器件的主要损耗是。 A . 通态损耗 B . 开通损耗 C . 断态损耗 D. 开关损耗 关于 PCB 布局说法错误的是 A、把受热影响⼤的元器件放置在离进⻛⼝近的区域 B、数字电路器件与模拟电路器件分开放置 C、钽电容应该放在铝电解电容的前⾯因为钽电解电容的抗浪涌的能⼒较强 D、晶体、晶振、⾼速芯⽚、开关电源等强辐射器件或敏感器件距单板拉⼿条、连接器的边 缘尽量远 在电⼦迁移率公式 uqt/m 中t 指的是扩散时间。 A、正确 B、错误 下列对 CMOS 电路描述正确的是 A.CMOS 电路是互补型⾦属氧化物半导体电路 B.CMOS 电路由半绝缘场效应晶体管组成 C.CMOS 是⼀种单级型晶体管集成电路 D.CMOS 基本结构是⼀个 N 沟道 MOS 管和⼀个 P 沟道 MOS 管 为了稳定放⼤电路的输出电压,应引⼊ A. 交流负反馈 B. 直流负反馈 C. 电压负反馈 D. 电流负反馈 温度升⾼时,三极管的 β 值将增⼤。 A、正确 B、错误 选择示波器时示波器的带宽应为被测信号最⾼频率分量的倍。 A.1 B.2 C.3 D.4 11.基尔霍夫定律是分析⼀切 () 电路的基本依据。 A、 电流参数 B、 集总参数 C、 电阻参数 D、 电压参数 12.下列关于三极管和 MOS 正确的是 A. 三极管属于电流控制MOS 属于电压控制 B. 三极管属于电压控制MOS 属于电流控制 C. 三极管属于单极型电压控制开关器件MOS 属于双极型电流控制开关器件 D. 三极管和 MOS 都有三个电极分别为基极、集电极、发射极 关于电感的下列说法,错误的是______。 A. 电感在直流稳态电路中相当于短路 B. 电感处于交流电路中,总是吸收功率 C. 电感中的电流不能跃变 D. 电感是储能元件 14.⼯作在放⼤区的晶体管,当 IB 从 10μA 增⼤到 20μA,IC 从 1mA 增⼤到 2mA,它的 β 为 A.100 B.50 C.10 D.2 解析 β ΔIC / ΔIB 系统开环对数频率特性的低频段特性决定了系统的____ ,中频段特性决定了系统的____ , ⾼频段特性决定了系统的___ 。 A.稳态误差稳定性抗⼲扰性能 B.稳定性稳态误差抗⼲扰性能 C.抗⼲扰性能稳定性稳态误差 PWM 主要应⽤于 电路中。 A.整流 B.逆变 C.斩波 D.调压 为了保证系统稳定,则闭环极点都必须在( ) A. s 左半平⾯ B. s 右半平⾯ C. s 上半平⾯ D. s 下半平⾯ 太阳能电池单体是⽤于光电转换的最⼩单元,其⼯作电压约为( )mV,⼯作电流为20~25mA/cm2。 A.400~500 B.100~200 C.200~300 D.800~900 太阳能电池的能量转换效率是从太阳能电池的端⼦的电⼒能⼒与的太阳能辐射 光能量的⽐。 A.输⼊输出 B.输出输⼊ 在磁性元件中⼀般代表磁⼼的横截⾯积 A. Ac B. Ad C. Ae D. Asec 当温度升⾼时,⼆极管的反向饱和电流将( )。 A. 增⼤ B. 不变 C. 减⼩ D. 不确定 集成运放的输⼊级采⽤差分放⼤电路是因为可以( )。 A. 减⼩温漂 B. 增⼤放⼤倍数 C. 提⾼输⼊电阻 D. 减⼩放⼤倍数 有关瞬态电压抑制器(TVS)的作⽤,以下哪⼀项是错误的() A.它是⼀种⼆极管形式的⾼效能的保护器件防⽌瞬态⾼能量时冲击时保护精密器件免受 各种浪涌脉冲的损坏。 B.加在信号和电源线上能防⽌微处理器⼈体静电、交流浪涌或噪声导致处理器的失灵。 C.能释放超过 10000V60A 以上的连续信号这可以防⽌总线之间开关引起的⼲扰。 D.将 TVS 放置在信号线和地之间能避免数据及控制总线受到不必要噪声的影响。E.电路中 接⼊ TVS 后如果外界信号输⼊较⼤脉冲TVS 即可将该信号瞬间导地保护后级器件。 在系统对输入信号的时域响应中其调整时间的长短是与()指标密切相关。 A.允许的峰值时间 B.允许的超调量 C.允许的上升时间 D.允许的稳态误差 25.实验时TTL 芯⽚发烫不可能的原因是() A、 电源使⽤ 12V B、 插反芯⽚ C、 电源与地短路 D、 电源使⽤ 4V 开关电源模块的寿命是由模块内部⼯作( )所决定,其⾼低主要是由模块的效率⾼低所决 定。 A.效率 B.电压 C.温升 D.性能 在半导体材料中,正确的说法是( )。 A.P 型半导体和 N 型半导体材料本⾝都不带电 B.P 型半导体中,由于多数载流⼦为空⽳,所以它带正电 C.N 型半导体中,由于多数载流⼦为⾃由电⼦,所以它带负电 D.N 型半导体中,由于多数载流⼦为空⽳,所以它带负电 差分放⼤电路的主要特点是() A.有效放⼤差模信号,抑制共模信号 B.既放⼤差模信号,⼜放⼤共模信号 C.有效放⼤共模信号,抑制差模信号 D.既抑制差模信号,⼜抑制共模信号 放⼤电路在⾼频信号作⽤下放⼤倍数下降的原因是___。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的⾮线性特性 D 放⼤电路的静态⼯作点设置不合适 绝缘栅双极性晶体管是指 A A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、SCR 半桥逆变电路的特点描述正确的是__。 A应⽤于⼤功率逆变 B电路简单 C使⽤器件少 D输出交流电压幅值为 Ud/2 E且直流侧需两电容器串联 双 PWM 电路中,整流电路和逆变电路都采⽤ PWM 控制,可以使( ) A. 电路的输⼊输出电流均为正弦波 B. 输⼊功率因数⾼ C. 中间直流电路的电压可调 D. 输⼊功率因数低 在 CMOS 集成电路制造中⼆氧化硅的主要作⽤有哪些? A、作为芯⽚的保护膜 B、作为电隔离膜 C、作为元器件的组成部分 D、作为掩膜 影购 BUCK 电源输出质量的因素有哪些 A、电感感值 B、电感封装 C、输⼊电容 D、⼯作模式 静态功耗⼜叫做泄漏功耗它是指电路处在等待或不激活状态时泄漏电流所产⽣的功耗 泄漏电流主要包括 A、⻔栅泄漏电流 B、反偏⼆极管泄漏电流 C、⻔栅感应漏极泄漏电流 D、亚值泄漏电流 BOOST 电路⼯作在连续模式仅 BOOST 电路的输⼊电压升⾼时下⾯描述不正确的是 A、 输⼊滤波电感的纹波变⼤ B、 输出电容纹波电流变⼩ C、 占空⽐变⼩ D、 开关管的电压应⼒不变 哪些是运放理想模型参数特性 A、开环差模电压增益⽆穷⼤ B、输出电阻⽆穷⼤ C、共模抑制⽐⽆穷⼤ D、差模输⼊电阻⽆穷⼤ 关于磁珠的使⽤说法正确的是 A. 磁珠的插⼊损耗与线路阻抗有关阻抗越⾼插损越⼩ B额定电流降额 80使⽤ C额定电压降额 80使⽤ D. ⼯作最⾼温度不要超过额定温度 电源 PDN 设计中将 1 个 10uF 替换为 10 个 1uF由于并联减⼩ ESR 的作⽤⼀定有 利于纹波的抑制。 A.正确 B.错误 下列有关电感 Q 值说法正确的是 A、电感器的 Q 值是指在某⼀频率的交流电压下⼯作时所呈现的感抗与其等效损耗电阻之 ⽐ B、电感器的 Q 值越⾼其损耗越⼩效率越⾼ C、电感器品质因数的⾼低与线圈导线的直流电阻、线圈⻣架的介质损耗及铁⼼屏蔽罩等 引起的损耗等有关。
