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把网站做成app多少钱,成都移动seo,哪个网站衬衣做的好,做系统进化树的网站文章目录 一、常见的电子元器件1. 二极管1.1 肖特基二极管和普通二极管一、核心原理差异二、关键性能参数区别三、应用场景差异四、直观选型建议五、如何理解反向恢复时间 一、常见的电子元器件 1. 二极管 常见九种二极管介绍链接 1.1 肖特基二极管和普通二极管 肖特基二极…

文章目录

  • 一、常见的电子元器件
  • 1. 二极管
    • 1.1 肖特基二极管和普通二极管
      • 一、核心原理差异
      • 二、关键性能参数区别
      • 三、应用场景差异
      • 四、直观选型建议
      • 五、如何理解反向恢复时间

一、常见的电子元器件

1. 二极管

常见九种二极管介绍链接
在这里插入图片描述

1.1 肖特基二极管和普通二极管

肖特基二极管和普通二极管(常指PN结二极管 )在原理、性能、应用等方面有明显区别,具体如下:

一、核心原理差异

  • 肖特基二极管:基于 金属 - 半导体接触形成的肖特基势垒 工作。金属(如金、银等)与N型半导体接触,界面会因电子逸出功差异形成势垒,正向电压打破势垒时电子从半导体流向金属导通;反向电压下,势垒阻碍电子反向流动,几乎无反向电流(漏电流相对普通二极管有特点,后文说 )。
  • 普通二极管:基于 PN结的载流子扩散与复合 原理。P型(空穴多)和N型(电子多)半导体结合,形成内电场;正向电压抵消内电场,载流子扩散导通电流;反向电压增强内电场,阻碍载流子扩散,仅极少量漏电流。

二、关键性能参数区别

参数肖特基二极管普通二极管(硅管/锗管)
正向压降极低,通常 0.2V - 0.5V(如常见肖特基约0.3V )硅管:0.6V - 0.7V;锗管:0.2V - 0.3V
反向恢复时间极短,纳秒级(如10 - 40ns ),高频场景优势大较长,微秒级(如普通硅管几十 - 几百μs )
反向耐压普遍较低,多在 150V以内(高压肖特基也难超千伏 )可做很高,硅管反向耐压轻松达千伏以上,适配高压场景
反向漏电流相对大(因金属 - 半导体势垒特性 ),高温下更明显相对小(PN结反向阻挡作用强 )

三、应用场景差异

  • 肖特基二极管:因 低正向压降、高频响应快,适配:
    • 高频电路:如开关电源整流(利用快恢复特性减少开关损耗)、射频电路(低损耗保障信号质量);
    • 低功耗场景:充电宝、手机充电器等小功率电源,降低发热提升效率;
    • 续流保护:电机、继电器等感性负载的续流,快速泄放反向电动势。
  • 普通二极管:因 反向耐压高、成本低,适配:
    • 高压整流:工频电源整流(如市电220V整流,肖特基耐压不够)、大功率设备电源;
    • 信号处理:检波(如收音机信号提取)、稳压(稳压二极管基于PN结反向击穿,属普通二极管分支 );
    • 通用电路:对频率、功耗要求不高的场景,如简单整流桥、电源防反接(普通硅管即可)。

四、直观选型建议

  • 若需 高频、低功耗、小电压(如5V/12V电路 ),选肖特基;
  • 若需 高压、低频、成本敏感(如220V整流、简单电路 ),选普通二极管(硅管为主,锗管因温度特性少用 )。

简单说,肖特基像“高频敏捷选手”,擅长快速、低耗场景;普通二极管是“高压耐力选手”,稳扎稳打适配常规、高压需求~

五、如何理解反向恢复时间

二极管反向恢复时间的产生,源于 电荷存储效应,以下从原理到影响详细拆解:

一、核心原理:正向导通时“存了电荷”
普通二极管(PN 结型 )正向导通时,P 区的空穴会往 N 区扩散,N 区的电子也会往 P 区扩散 。这些“扩散过去的载流子”,并不会立刻复合消失,而是在对方区域“暂时存储” ,形成 非平衡少数载流子的积累(比如 P 区存了电子、N 区存了空穴 ),这就是 电荷存储效应

二、反向截止时“得先清电荷”
当二极管两端电压从正向突然转为反向时,本应立刻截止,但 存储的电荷不会瞬间消失

  1. 这些存储的电荷,会在反向电场作用下“往回跑”(P 区电子被拉回 N 区,N 区空穴被拉回 P 区 ),形成 反向恢复电流
  2. 同时,部分电荷还会和“多数载流子”慢慢复合。

只有等这些存储的电荷 全部被拉回、复合完,二极管才会真正进入反向截止状态。而从“开始反向电压”到“反向电流基本消失(二极管截止 )”的时间,就是 反向恢复时间(记为 ( t_{rr} ) ,包含存储电荷“往回跑”的时间 ( t_s ),和“复合收尾”的时间 ( t_t ) ,即 ( t_{rr} = t_s + t_t ) )。

三、肖特基二极管的特殊情况
肖特基二极管是 金属 - 半导体接触(无 PN 结 ),几乎没有“少数载流子存储”问题,所以反向恢复时间 极短(纳秒级,甚至可忽略 ) 。这也是它和普通二极管(PN 结型 )的核心差异——普通二极管因 PN 结的电荷存储,反向恢复时间相对长(如快恢复二极管是几百纳秒,普通整流二极管甚至毫秒级 )。

四、对电路的实际影响

  1. 高频电路:若二极管反向恢复时间长,在高频开关场景(比如开关电源 ),二极管还没完全截止,下一个正向电压又到来,会导致 反向电流和正向电流叠加,增加损耗、发热,甚至引发电磁干扰;
  2. 开关速度:反向恢复时间直接限制二极管的“开关频率”,恢复时间越长,能工作的最高频率越低;
  3. 系统效率:长恢复时间会让二极管在反向时“白白耗电”(反向恢复电流流经电路产生损耗 ),降低整个系统的效率。

简单说,普通二极管(PN 结型 )因“电荷存储效应”有反向恢复时间,肖特基二极管因结构特殊几乎无此问题,这也是选型时高频、低损耗场景优先选肖特基的关键原因~

http://www.tj-hxxt.cn/news/44267.html

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