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采购网站官网,如何提升网站知名度,无锡设计网站,睢县做网站哪家好一、系统架构 在小容量、中容量和大容量产品 中#xff0c;主系统由以下部分构成#xff1a; 四个驱动单元 #xff1a; Cotex-M3内核、DCode总线#xff08;D-bus#xff09;和系统总线#xff08;S-bus#xff09; 通用DMA1和通用DMA2 四个被动单元 内部SRAM 内部…一、系统架构 在小容量、中容量和大容量产品 中主系统由以下部分构成 四个驱动单元 Cotex-M3内核、DCode总线D-bus和系统总线S-bus 通用DMA1和通用DMA2 四个被动单元 内部SRAM 内部闪存存储器 FSMC AHB到APB的桥AHB2APBx它连接所有的APB设备 这些都是通过一个多级的AHB总线结构 相互连接的如下图图1所示 图1 系统架构 在互联性产品 中主系统由以下部分构成 五个驱动单元 Cotex-M3内核、DCode总线D-bus和系统总线S-bus 通用DMA1和通用DMA2 以太网DMA 三个被动单元 内部SRAM 内部闪存存储器 AHB到APB的桥AHB2APBx它连接所有的APB设备 这些都是通过一个多级的AHB总线结构 相互连接的如下图图2所示 图2 互联型产品系统架构 1.1 ICode总线 该总线将Cortex-M3内核的指令总线与闪存指令接口相连接。指令预取 在此总线上完成。 1.2 DCode总线 该总线将Cortex-M3的内核的DCode总线与闪存存取器的数据接口相连接常量加载和调试访问。 1.3 系统总线 此总线连接Cortex-M3内核的系统总线外设总线到总线矩阵总线矩阵协调着内核和DMA间的访问。 1.4 DMA总线 此总线将DMA的AHB主控接口和总线矩阵相联总线矩阵协调着CPU的DCode和DMA到SRAM、闪存和外设的访问。 1.5 总线矩阵 总线矩阵协调内核系统总线和DMA主控总线之间的访问仲裁仲裁利用轮换算法 。在互联型产品中总线矩阵包含5个驱动部件CPU的DCode、系统总线、以太网DMA 和3个从部件闪存存储器接口FLITF、SRAM和AHB2AP桥。在其他产品中总线矩阵包含4个驱动部件CPU的DCode、系统总线、DMA1总线和DMA2总线和4个被动部件闪存存储器接口FLITF、SRAM、FSMC 和AHB2APB桥。AHB外设通过总线矩阵与系统总线相连允许DMA访问。 1.6 AHB/APB桥APB 两个AHB/APB桥在AHB和两个APB总线间提供同步连接。APB1操作速度限于36MHzAPB2操作于全局最高72MHz。 有关连接到每个桥的不同外设的地址映射请参考表1。 在每一次复位之后所有除SRAM和FLITF以外的外设都被关闭在使用一个外设之前必须设置寄存器RCC_AHBENR来打开该外设的时钟。 注意 当对APB寄存器进行8位或者16位访问时该访问会被自动转换成32位的访问桥会自动将数据扩展以配合32的向量。 二、储存器组织 程序存储器、数据存储器、寄存器和输入输出端口被组织在同一个4GB 的线性地址空间内。数据字节以小端格式存放在存储器中。一个字里的最低地址被认为是该字的最低有效字节而最高地址字节是最高有效字节。 可访问的存储器被分成8个主要块 每个块为512MB。 其他所有没有分配给片上存储器和外设的存储器空间都是保留的地址空间。 三、存储器映像 请参考相应器件的数据手册中的存储器映像图。表1列出了所用STM32F10xxx中内置外设的起始地址 。 表1 寄存器组起始地址 3.1 嵌入式SRAM STM32F10xx内置64K字节的静态SRAM。它可以以字节、半字16位或全字32位访问。SRAM的起始地址是0x2000 0000 。 3.2 位段 Cortex-M3存储器映像包括两个位段(bit-band)区 。这两个位段区将别名存储器 区的每个字映射到位段存储区 的一个位在别名存储区写入一个字具有对位段区的目标位执行读-改-写操作的相同效果。 在STM32F10xx里外设存储器和SRAM都被映射到一个位段区里这允许执行单一的位段的写和读操作。 下面的映射公式给出了别名区中的每个字是如何对应位段区的相应位的 bit_word_addr bit_band_band (byte_offset × 32) bit_number × 4 其中 bit_word_addr是别名存储区中字的地址它映射到某个目标位。 bit_band_base是别名区的起始地址。 byte_offset是包含目标位的字节在位段里的序号。 bit_number是目标位所在地址0-31 例子 下面的例子说明如何映射别名区中SRAM地址为0x20000300的字节中的位2 0x22006008 0x22000000 (0x300 × 32) 2 × 4 对0x22006008地址的写操作于对SRAM中地址0x20000300字节的位2执行读-改-写操作有着相同的效果。 读0x22006008地址返回SRAM中地址0x20000300字节的位2的值0x01或0x00。 3.3 嵌入式内存 高性能的闪存模块有以下的主要特征 高达512字节闪存存储器结构闪存存储器有主存储块 和信息块 组成 主存储块容量 小容量产品主存储块最大为4k×64位每个存储块划分为32个1K字节的页见表2。 中容量产品主存储块最大为16K×64位每个存储块划分为128个1K字节的页见表3。 大容量产品主存储块最大为64K×64位每个存储块划分为256个2K字节的页见表4。 互联型产品主存储块最大为32K×64位每个存储块划分为128个2K字节的页见表5。 信息块容量 互联型产品有2360×64位见表5。 其他产品有258×64位见表2、表3、表4。 闪存存储器接口的特性为 带预期缓冲器 的读接口每字为2才64位 选择字节加载器 闪存编程/擦除操作 访问/写保护 表2 闪存模块的组织小容量产品 表3 闪存模块的组织中容量产品 表4 闪存模块的组织大容量产品 表5 闪存模块的组织互联型产品 3.3.1 闪存读取 闪存的指令和数据访问是通过AHB总线完成。预取模块是用户通过ICode总线读取指令的。仲裁是作用在闪存接口并且DCode总线上的数据访问优先。 读访问可以有以下配置选项 等待时间可以随时更改的用于读取操作的等待状态的数量。 预取缓冲区2个64位在每一次复位以后被自动打开由于每个缓冲区的大小64位与闪存的带宽相同因此只需通过一次读闪存的操作即可更新整个缓冲区的内容。由于预取缓冲区的存在CPU可以工作在更高的主频。CPU每次取指最多为32位的字取一条指令时下一个指令已经在缓冲区中等待。 半周期用于功耗优化 注 这些选项与闪存存储器的访问时间一起使用。等待周期体现在系统时钟SYSCLK时钟与闪存访问时间的关系 0等待周期当0SYSCLK24MHz 1等待周期当24MHzSYSCLK≤ 48MHz 2等待周期当48MHzSYSCLK≤ 72MHz 半周期配置不能与使用了预分频器的AHB一起使用时钟系统应该等于HCLK时钟。该特性只能在时钟频率为8MHz或者低于8MHz时可以直接使用内部RC振荡器HSI或者主振荡器HSE但不能用PLL。 当AHB预分频系数不为1时必须置预取缓冲区处于开启状态。 只有在系统时钟SYSCLK小于24MHz并且没有打开AHB的预分频器即HCLK必须等于SYSHCLK时才能执行预取缓冲器的打开和关闭操作。一般而言在初始化过程中执行预取缓冲器的打开和关闭操作这时微控制器的时候由8MHz的内部RC震荡器HSI提供。 使用DMADMA在DCode总线上访问闪存存储器它的优先级比ICode上的取指高。DMA在每次传送完成后具有一个空余的周期。有些指令可以和DMA传输一起执行。 3.3.2 编程和擦除闪存 闪存编程一次可以写入16位半字。 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除全擦除。全擦除不影响信息块。 为了确保不发生过度编程闪存编程和擦除控制器块是由一个固定的时钟控制的。 写操作编程或擦除结束时可以触发中断。仅当闪存控制器接口时钟开启时此中断可以用来从WFI模块退出。 四、启动配置 在STM32F10xxx里可以通过BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式。 表6 启动模式 在系统复位后SYSCLK的第4个上升沿BOOT引脚的值将被锁存。用户可以通过设置BOOT1和BOOT0 引脚的状态来选择在复位后的启动模式。 在从待机模式退出时BOOT引脚的值将被重新锁存因此在待机模式下BOOT引脚应保持为需要的启动配置在启动延迟之后CPU从地址0x00000000获取堆栈顶的地址并从启动存储器的0x00000004指示的地址开始执行代码。 因为固定的存储器映像代码区使用从地址0x0000 0000开始通过ICode和DCode总线访问而数据区 (SRAM)始终从地址0x2000 0000开始通过系统总线访问。Cortex-M3的CPU始终从ICode总线获取复位向量即启动仅适用于从代码区开始典型地从Flash启动。 STM32F10xxx微控制器实现了一个特殊的机制系统不仅仅可以从Flash存储器或系统存储器启动还可以从内置SRAM启动。 根据选定的启动模式主闪存存储器、系统存储器或SRAM可以按照以下方式访问 从主存存储器启动主闪存存储器被映射到启动空间0x0000 0000但仍然能够在它原有的地址0x0800 0000访问它即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问0x0000 0000或0x0800 0000。 从系统存储器启动系统存储器被映射到启动空间0x0000 0000但仍然能够在它原有的地址互联型产品原有地址为0x1FFF B000其它产品原有地址为0x1FFF F000访问它。 从内置SRAM启动只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。 注当从内置SRAM启动在应用程序的初始化代码中必须使用NVIC的异常表和偏移寄存器重新映射向量表至SRAM中。 内嵌的自举程序 内嵌的自举程序存放在系统存储区由ST在生产线上写入用于通过可用的串行接口对闪存存储器进行重新编程。 对于小容量、中容量和大容量的产品而言可以通过USART1接口启用自举程序。 对于互联型产品而言可以通过以下某个接口启动自举程序USART1、USART2(重映像的)、CAN2(重映像的)或USB OTG全速接口的设备模式通过设备固件更新DFU协议。USART接口依靠内部8MHz振荡器HSI运行。只有在外部使用8MHz、14.7456MHz或25MHz时钟HSE时才能使用CAN或USB OTG接口。 一个专注于“嵌入式知识分享”、“DIY嵌入式产品”的技术开发人员关注我一起共创嵌入式联盟。
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