纯jsp做的留言板网站,网站被k 多久恢复,网上购物哪家好又便宜,做招聘信息的网站有哪些不同型号的 STM32#xff0c;其 FLASH 容量也有所不同#xff0c;最小的只有 16K 字节#xff0c;最大的则达到了1024K 字节。大容量产品的闪存模块组织如图所示#xff1a; STM32 的闪存模块由#xff1a;主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
①主… 不同型号的 STM32其 FLASH 容量也有所不同最小的只有 16K 字节最大的则达到了1024K 字节。大容量产品的闪存模块组织如图所示 STM32 的闪存模块由主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
①主存储器该部分用来存放代码和数据常数如 const 类型的数据。对于大容量产品其被划分为 256 页每页 2K 字节。小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000 Boot0、Boot1 都接 GND 的时候就是从 0X08000000开始运行代码的。
②信息块该部分分为 2 个小部分其中启动程序代码是用来存储 ST 自带的启动程序用于串口下载代码当 Boot0 接 V3.3Boot1 接 GND 的时候运行的就是这部分代码。用户选择字节则一般用于配置写保护、读保护等功能。
③闪存存储器接口寄存器该部分用于控制闪存读写等是整个闪存模块的控制机构。 对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理在执行闪存写操作时任何对闪存的读操作都会锁住总线在写操作完成后读操作才能正确地进行即在进行写或擦除操作时不能进行代码或数据的读取操作。
闪存的读取 任何 32 位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。例如我们要从地址 addr读取一个半字半字为 16 位字为 32 位可以通过如下的语句读取
data*(vu16*)addr; 将 addr 强制转换为 vu16 指针然后取该指针所指向的地址的值即得到了 addr 地址的值。类似的将上面的 vu16 改为 vu8即可读取指定地址的一个字节。
闪存的编程和擦除 STM32 的闪存编程是由 FPEC闪存编程和擦除控制器模块处理的这个模块包含 7 个32 位寄存器他们分别是FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)闪存控制寄存器(FLASH_CR)闪存状态寄存器(FLASH_SR)闪存地址寄存器(FLASH_AR)选择字节寄存器(FLASH_OBR)写保护寄存器(FLASH_WRPR)。
FLASH编程注意事项
①FPEC 键寄存器总共有 3 个键值RDPRT 键0X000000A5KEY10X45670123KEY20XCDEF89AB 。STM32 复位后FPEC 模块是被保护的不能写入 FLASH_CR 寄存器通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块即写入 KEY1 和 KEY2只有在写保护被解除后我们才能操作相关寄存器这一步叫做Unlock。
②STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位不能写入 8 位当 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’时在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程写入任何非半字的数据FPEC 都会产生总线错误。在编程过程中(BSY 位为’1’)不能进行其他读写擦除操作。
③STM32 的 FLASH 在编程的时候必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的也就是其值必须是 0XFFFF否则无法写入在 FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告。
STM23 的 FLASH 编程过程如图 从上图可以得到闪存的编程顺序如下
①检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁如果没有则先解锁
②检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位以确认没有其他正在进行的编程操作
③设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’ 在指定的地址写入要编程的半字
④等待 BSY 位变为’0’ 读出写入的地址并验证数据 在FLASH编程前要先确定目标地址是否已经被擦除有两种擦除方式页擦除和整片擦除。页擦除过程如图 从上图可以看出STM32 的页擦除顺序为
①检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁如果没有则先解锁
②检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位以确认没有其他正在进行的闪存操作
③设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为’1’,选择为页擦除
④用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页
⑤设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为’1’ 开始擦除
⑥等待 BSY 位变为’0’ 读出被擦除的页并做验证
常用库函数
锁定解锁函数
void FLASH_Unlock(void)//解锁函数
void FLASH_Lock(void)//锁定函数
写操作函数
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)//32位字写入实际上是写两次16字节
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);//16位半字写入
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);//用户选择字节写入
擦除函数
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);//页擦除
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);//全片擦除
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);//用户选择字节擦除
获取flash状态
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)
//返回值是通过枚举类型定义的typedef enum
{ FLASH_BUSY 1,//忙FLASH_ERROR_PG,//编程错误FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误FLASH_COMPLETE,//操作完成FLASH_TIMEOUT//操作超时
}FLASH_Status;
等待操作完成函数 在进行写或擦除操作时不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)
正点原子函数解析
STMFLASH_ReadHalfWord
//读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据.
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{return *(vu16*)faddr;
}
STMFLASH_Write_NoCheck
//不检查的写入在使用此函数前需要检查要写入的地址是否已经被擦除
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:要写入的数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{ u16 i;for(i0;iNumToWrite;i){FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);//循环写入半字WriteAddr2;//地址增加2.}
} 计算机中最小的信息单位是bit也就是一个二进制位8个bit组成一个Byte也就是1个字节1个存储单元存放1个字节每个存储单元对应一个32位bit地址对于32bit的ARM CPU一个32位地址指向1个字节所以上面写完一个半字后地址要2。
STMFLASH_Read
//从指定地址开始读出指定长度的数据存储在pBuffer
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:读取到的数据存储的位置
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)
{u16 i;for(i0;iNumToRead;i){pBuffer[i]STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.ReadAddr2;//偏移2个字节. }
}
STMFLASH_Write
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:要写入的数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE256//判断FLASH容量小于256K是中小容量一页FLASH有1K字节
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048//大于等于256K为大容量一页FLASH有2K字节
#endif
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节用来存放一页读出的数据因为写之前要擦除为了避免数据丢失先将数据读出擦除FLASH修改数据后再写回去。2k字节就是1k个半字所以需要除以2
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{u32 secpos; //扇区地址u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算) u16 i; u32 offaddr; //基于0X08000000的偏移地址if(WriteAddrSTM32_FLASH_BASE||(WriteAddr(STM32_FLASH_BASE1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址FLASH_Unlock(); //解锁offaddrWriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址要写入的地址相对于flash起始地址0x08000000的偏移量.secposoffaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址扇区号 0~127 for STM32F103RCT6计算要写入的地址在哪个扇区secoff(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)取模后算出的是偏移的字节数除以2得到半字数secremainSTM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小 STM_SECTOR_SIZE是扇区中的字节数除以2是半字数减去偏移就是剩下的半字数if(NumToWritesecremain)secremainNumToWrite;//如果要写的大小不大于扇区剩余大小也就是不需要写到下一个扇区就令剩余扇区大小等于要写的大小后面有用。while(1) { STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZESTM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容secpos*STM_SECTOR_SIZESTM32_FLASH_BASE是扇区起始地址STMFLASH_BUF是读取结果存储的数组STM_SECTOR_SIZE/2是要读取的半字个数for(i0;isecremain;i)//校验数据{if(STMFLASH_BUF[secoffi]!0XFFFF)break;//如果要写入的地址遍历到扇区结束遇到了不是0XFFFF的数据表示需要擦除 }if(isecremain)//如果是通过break跳出循环需要擦除{FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZESTM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区for(i0;isecremain;i){STMFLASH_BUF[isecoff]pBuffer[i]; //将要写入的数据拷贝到扇区数据缓冲数组的相应位置 } STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZESTM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区 }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//如果不需要擦除就直接写数据 if(NumToWritesecremain)break;//如果NumToWritesecremain表示不需要跨扇区写入结束了else//写入未结束{secpos; //扇区地址增1写下一个扇区secoff0; //偏移位置为0 从下一个扇区开头开始写 pBuffersecremain; //指针偏移要写的数据指针偏移已经写过的部分WriteAddrsecremain; //写地址偏移要写的地址也要偏移已经写过的部分 NumToWrite-secremain; //字节(16位)数递减还需要写的半字个数减去已经写完的部分if(NumToWrite(STM_SECTOR_SIZE/2))secremainSTM_SECTOR_SIZE/2;//如果要写的数据大于一个扇区的个数下一个扇区还是写不完就把剩余扇区大小等于整个扇区的半字数即下一个扇区写满else secremainNumToWrite;//下一个扇区可以写完了再循环一次就会跳出了} }; FLASH_Lock();//上锁
}
