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为应对人工智能(AI)市场扩张带来的对高性能存储解决方案需求的增长，三星电子在其设备解决方案(DS)部门内部成立了全新的“HBM开发团队”，旨在提升其在高带宽存储器(HBM)领域的竞争力。根据Business Korea的最新报告，该团队将专注于推进HBM3、HBM3e以及下一代HBM4技术的研发。

这一举措紧随三星在五月份更换其半导体业务负责人的决定之后。报道称，DS部门围绕HBM开发团队的建立进行了组织结构调整。此外，7月4日韩国媒体Newdaily的一篇报道指出，三星已获得英伟达对其第五代HBM即HBM3e的合格认证，虽然三星随后否认了这一市场传闻，但这一动向仍吸引了广泛关注。

三星在HBM领域的投入历史悠久，自2015年起便在其存储业务部门内部维持着HBM开发组织。今年早些时候，三星还成立了特别工作组(TF)以加强HBM的竞争力，新团队的成立将进一步整合并强化这些正在进行中的努力。

据报道，三星在今年2月取得了重大突破，成功开发出了业界首个12层堆叠的HBM3e，提供了行业最大的36GB存储容量。HBM3e的8层和12层堆叠样品已送交英伟达进行质量测试。

根据TrendForce的报告，三星目前仍在与英伟达及其他主要客户合作，进行8层和12层HBM3e产品的资格认证工作。三星预计，其HBM3e的部分认证工作将在2024年第三季度末完成。

TrendForce最新分析指出，鉴于HBM的盈利性和市场需求不断上升，其生产将被优先考虑。然而，约50-60%的有限良率以及比DRAM产品大60%的晶圆面积意味着需要更高比例的晶圆投入。依据各公司的TSV（硅通孔）产能，预计到今年年底，HBM将占先进工艺晶圆投入的35%，剩余的晶圆产能将用于LPDDR5(X)和DDR5产品。